AP02N60H

MOSFET N-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 1.600 A
RDSon 8.0000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 39.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 12 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 27 pF
|Id| - Maximum Drain Current 1.6 A
Pd - Maximum Power Dissipation 39 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 8 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP02N60H:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP02N60H?

Los reemplazos compatibles para el AP02N60H incluyen: 2SK3111-ZJ, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP01N60P, AP0203GMT-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP02N60H?

El AP02N60H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP02N60H?

El AP02N60H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.600 A.

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