AP02N60I
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
8.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
22.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 27 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 22 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP02N60I:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP02N60I?
Los reemplazos compatibles para el AP02N60I incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP0203GMT-HF, AP02N40H-HF, AP02N40I-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP02N60I?
El AP02N60I es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del AP02N60I?
El AP02N60I tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.