AP02N60J-H

MOSFET N-Channel TO251

Parametros Principales

Vds Max. 700.000 V
Id Max. 1.400 A
RDSon 8.8000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 39.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
tr - Rise Time 12 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 27 pF
|Id| - Maximum Drain Current 1.4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 39 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 700 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 8.8 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP02N60J-H:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AP02N40J-HF MOSFET N-Channel AP02N40K-HF MOSFET N-Channel AP02N40P MOSFET N-Channel AP02N60H MOSFET N-Channel AP02N60H-H MOSFET N-Channel AP02N60I MOSFET N-Channel AP02N60I-A-HF MOSFET N-Channel AP02N60J MOSFET N-Channel AP02N60P-A-HF MOSFET N-Channel AP02N60T-H-HF MOSFET N-Channel AP02N70EI-HF MOSFET N-Channel AP02N70EJ MOSFET N-Channel AP02N90H-HF MOSFET N-Channel AP02N90I MOSFET N-Channel AP02N90J-HF MOSFET N-Channel AP02N90P-HF MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP02N60J-H?

Los reemplazos compatibles para el AP02N60J-H incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP02N40J-HF, AP02N40K-HF, AP02N40P, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP02N60J-H?

El AP02N60J-H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del AP02N60J-H?

El AP02N60J-H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.400 A.

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