AP02N90J-HF
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
1.900 A
RDSon
7.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
62.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 62.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP02N90J-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP02N90J-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP02N90J-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP02N60J, AP02N60J-H, AP02N60P-A-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP02N90J-HF?
El AP02N90J-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP02N90J-HF?
El AP02N90J-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.900 A.
