AP03N70P-H
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
2.500 A
RDSon
4.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
54.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 50 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 54.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP03N70P-H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP03N70P-H?
Los reemplazos compatibles para el AP03N70P-H incluyen: 2SJ413, 2SK2842, 2SK711, AP03N70H-HF, AP03N70I-A-HF, AP03N70I-H, AP03N70I-HF, AP03N70J-A-HF, AP03N70J-H, AP03N70J-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP03N70P-H?
El AP03N70P-H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP03N70P-H?
El AP03N70P-H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.500 A.
