AP0403GM-HF
MOSFET
N-Channel
SO8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
18.700 A
RDSon
0.0045 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 440 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0045 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP0403GM-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP0403GM-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP0403GM-HF incluyen: 2SJ413, 2SJ416, 2SJ417, 2SJ419, 2SJ418, 2SK711, AP03N70J-A-HF, AP03N70J-H, AP03N70J-HF, AP03N70P-A, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP0403GM-HF?
El AP0403GM-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.
¿Cual es el voltaje maximo del AP0403GM-HF?
El AP0403GM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.700 A.