AP04N20GK-HF
MOSFET
N-Channel
SOT223
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT223 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 50 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP04N20GK-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP04N20GK-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP04N20GK-HF incluyen: 2SJ420, 2SJ421, 2SK711, 2SK3115, 2SK3116, 2SK3116-S, 2SK3116-ZJ, 2SK3129, 2SK3131, AP04N60H-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP04N20GK-HF?
El AP04N20GK-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT223.
¿Cual es el voltaje maximo del AP04N20GK-HF?
El AP04N20GK-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.