AP04N60H-H-HF

MOSFET N-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 700.000 V
Id Max. 4.000 A
RDSon 2.8000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 59.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 20 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 70 pF
|Id| - Maximum Drain Current 4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 59.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 700 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 2.8 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP04N60H-H-HF:

2SK711 MOSFET N-Channel 2SK3115 MOSFET N-Channel 2SK3116 MOSFET N-Channel 2SK3116-S MOSFET N-Channel 2SK3116-ZJ MOSFET N-Channel 2SK3129 MOSFET N-Channel 2SK3131 MOSFET N-Channel AP04N20GK-HF MOSFET N-Channel AP04N60H-HF MOSFET N-Channel AP04N60I MOSFET N-Channel AP04N60I-A-HF MOSFET N-Channel AP04N60R-A-HF MOSFET N-Channel AP04N60S-H-HF MOSFET N-Channel AP04N70BI MOSFET N-Channel AP04N70BI-A MOSFET N-Channel AP04N70BI-H-HF MOSFET N-Channel AP04N70BP-A MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP04N60H-H-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP04N60H-H-HF incluyen: 2SK711, 2SK3115, 2SK3116, 2SK3116-S, 2SK3116-ZJ, 2SK3129, 2SK3131, AP04N20GK-HF, AP04N60H-HF, AP04N60I, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP04N60H-H-HF?

El AP04N60H-H-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP04N60H-H-HF?

El AP04N60H-H-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.

Scroll al inicio