AP04N60H-HF
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
59.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 59.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP04N60H-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP04N60H-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP04N60H-HF incluyen: 2SJ421, 10N60, 2SK711, 2SK3115, 2SK3116, 2SK3116-S, 2SK3116-ZJ, 2SK3129, 2SK3131, AP04N20GK-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP04N60H-HF?
El AP04N60H-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP04N60H-HF?
El AP04N60H-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.