AP04N70BP-A

MOSFET N-Channel TO220

Parametros Principales

Vds Max. 650.000 V
Id Max. 4.000 A
RDSon 2.4000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 62.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220
tr - Rise Time 8.3 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 65 pF
|Id| - Maximum Drain Current 4 A
Pd - Maximum Power Dissipation 62.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 650 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 2.4 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP04N70BP-A:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP04N70BP-A?

Los reemplazos compatibles para el AP04N70BP-A incluyen: 2N7000, 2SK711, AP04N60H-H-HF, AP04N60I, AP04N60I-A-HF, AP04N60R-A-HF, AP04N60S-H-HF, AP04N70BI, AP04N70BI-A, AP04N70BI-H-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP04N70BP-A?

El AP04N70BP-A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.

¿Cual es el voltaje maximo del AP04N70BP-A?

El AP04N70BP-A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.

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