AP04N80I-HF

MOSFET N-Channel TO220F

Parametros Principales

Vds Max. 800.000 V
Id Max. 3.200 A
RDSon 4.5000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 34.700 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220F
tr - Rise Time 20 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 55 pF
|Id| - Maximum Drain Current 3.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 34.7 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 800 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 4.5 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP04N80I-HF:

2SK711 MOSFET N-Channel AP04N60I-A-HF MOSFET N-Channel AP04N60R-A-HF MOSFET N-Channel AP04N60S-H-HF MOSFET N-Channel AP04N70BI MOSFET N-Channel AP04N70BI-A MOSFET N-Channel AP04N70BI-H-HF MOSFET N-Channel AP04N70BP-A MOSFET N-Channel AP04N70BS-H-HF MOSFET N-Channel AP04N80R-HF MOSFET N-Channel 2SK4097LS MOSFET N-Channel 2SK2103 MOSFET N-Channel 2SK315 MOSFET N-Channel 2SK321 MOSFET N-Channel 2SK322 MOSFET N-Channel 2SK3230B MOSFET N-Channel 2SK324 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel AON7408 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP04N80I-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP04N80I-HF incluyen: 2SK711, AP04N60I-A-HF, AP04N60R-A-HF, AP04N60S-H-HF, AP04N70BI, AP04N70BI-A, AP04N70BI-H-HF, AP04N70BP-A, AP04N70BS-H-HF, AP04N80R-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP04N80I-HF?

El AP04N80I-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.

¿Cual es el voltaje maximo del AP04N80I-HF?

El AP04N80I-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.200 A.

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