AP04N80R-HF
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
3.200 A
RDSon
4.8000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
83.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 55 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP04N80R-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP04N80R-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP04N80R-HF incluyen: 2SK711, AP04N60R-A-HF, AP04N60S-H-HF, AP04N70BI, AP04N70BI-A, AP04N70BI-H-HF, AP04N70BP-A, AP04N70BS-H-HF, AP04N80I-HF, 2SK4097LS, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP04N80R-HF?
El AP04N80R-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del AP04N80R-HF?
El AP04N80R-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.200 A.