AP05N20GJ-HF
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
5.800 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
44.600 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 8.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 44.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP05N20GJ-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP05N20GJ-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP05N20GJ-HF incluyen: 2SK3280, 2SK3283, 2SK3284, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP05N20GJ-HF?
El AP05N20GJ-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP05N20GJ-HF?
El AP05N20GJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.800 A.