AP05N50EH-HF

MOSFET N-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 500.000 V
Id Max. 5.000 A
RDSon 1.6000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 73.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 4 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 75 pF
|Id| - Maximum Drain Current 5 A
Pd - Maximum Power Dissipation 73.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 1.6 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP05N50EH-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP05N50EH-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP05N50EH-HF incluyen: 2SK3283, 2SK3284, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP0503GMT-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP05N50EH-HF?

El AP05N50EH-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP05N50EH-HF?

El AP05N50EH-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.

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