AP05N50I
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
1.4000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
31.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 85 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 31.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP05N50I:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP05N50I?
Los reemplazos compatibles para el AP05N50I incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP0504GMT-HF, AP05N20GH-HF, AP05N20GI-HF, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP05N50I?
El AP05N50I es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del AP05N50I?
El AP05N50I tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.
