AP0603GM-HF

MOSFET N-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 16.300 A
RDSon 0.0060 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 4.5 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 330 pF
|Id| - Maximum Drain Current 16.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.006 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP0603GM-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP0603GM-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP0603GM-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP05N50EI-HF, AP05N50EJ-HF, AP05N50H-HF, y 10 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP0603GM-HF?

El AP0603GM-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP0603GM-HF?

El AP0603GM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.300 A.

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