AP0903GYT-HF

MOSFET N-Channel PMPAK3X3

Parametros Principales

Vds Max. 30.000 V
Id Max. 16.000 A
RDSon 0.0090 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 3.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package PMPAK3X3
tr - Rise Time 7 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 215 pF
|Id| - Maximum Drain Current 16 A
Pd - Maximum Power Dissipation 3.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.009 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP0903GYT-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP0903GYT-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP0903GYT-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP07N70CI-H, AP0803GMP-HF, AP0803GMT-HF, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP0903GYT-HF?

El AP0903GYT-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PMPAK3X3.

¿Cual es el voltaje maximo del AP0903GYT-HF?

El AP0903GYT-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.

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