AP0904GJB-HF
MOSFET
N-Channel
TO251S
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
51.000 A
RDSon
0.0100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
44.600 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251S |
| tr - Rise Time | 6.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 51 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 44.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP0904GJB-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP0904GJB-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP0904GJB-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP0803GMT-HF, AP08N60I-HF, AP0903GH-HF, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP0904GJB-HF?
El AP0904GJB-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251S.
¿Cual es el voltaje maximo del AP0904GJB-HF?
El AP0904GJB-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 51.000 A.
