AP09N20BGI-HF

MOSFET N-Channel TO220F

Parametros Principales

Vds Max. 200.000 V
Id Max. 7.800 A
RDSon 0.4600 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 31.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220F
tr - Rise Time 9 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 90 pF
|Id| - Maximum Drain Current 7.8 A
Pd - Maximum Power Dissipation 31.3 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.46 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP09N20BGI-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP09N20BGI-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP09N20BGI-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP0903GM-HF, AP0903GYT-HF, AP0904GH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP09N20BGI-HF?

El AP09N20BGI-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.

¿Cual es el voltaje maximo del AP09N20BGI-HF?

El AP09N20BGI-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.800 A.

Scroll al inicio