AP09N70R-A
MOSFET
N-Channel
TO262
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 21 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 170 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP09N70R-A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP09N70R-A?
Los reemplazos compatibles para el AP09N70R-A incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N90CW, AP16N50P, AP3989R, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP09N70R-A?
El AP09N70R-A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.
¿Cual es el voltaje maximo del AP09N70R-A?
El AP09N70R-A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.