AP09N90CW
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
7.600 A
RDSon
1.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
208.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 516 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 208 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP09N90CW:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP09N90CW?
Los reemplazos compatibles para el AP09N90CW incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N70R-A, AP16N50P, AP3989R, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP09N90CW?
El AP09N90CW es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP09N90CW?
El AP09N90CW tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.600 A.