AP09N90W
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
8.600 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
240.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 10.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 221 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 240 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP09N90W:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP09N90W?
Los reemplazos compatibles para el AP09N90W incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N70I-A-HF, AP09N70I-H-HF, AP09N70P-A, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP09N90W?
El AP09N90W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP09N90W?
El AP09N90W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.600 A.