AP09T10GK-HF
MOSFET
N-Channel
SO223
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
2.100 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.780 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SO223 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 50 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.78 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP09T10GK-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP09T10GK-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP09T10GK-HF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 75N75, AP09N70P-A, AP09N70P-H, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP09T10GK-HF?
El AP09T10GK-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO223.
¿Cual es el voltaje maximo del AP09T10GK-HF?
El AP09T10GK-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.100 A.