AP1001BSQ
MOSFET
N-Channel
GREENFET-SQ
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
15.000 A
RDSon
0.0060 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | GREENFET-SQ |
| tr - Rise Time | 55 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 295 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.006 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP1001BSQ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP1001BSQ?
Los reemplazos compatibles para el AP1001BSQ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N70P-A, AP09N70R, AP09N70R-A-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP1001BSQ?
El AP1001BSQ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado GREENFET-SQ.
¿Cual es el voltaje maximo del AP1001BSQ?
El AP1001BSQ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.