AP10N60W
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.7500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 475 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP10N60W:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP10N60W?
Los reemplazos compatibles para el AP10N60W incluyen: 2SK2842, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N70R-A-HF, AP09N90CW-HF, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP10N60W?
El AP10N60W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP10N60W?
El AP10N60W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.