AP10N70P
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
174.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 19.7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 630 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 174 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP10N70P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP10N70P?
Los reemplazos compatibles para el AP10N70P incluyen: 2SK3285, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N90W, AP09T10GH-HF, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP10N70P?
El AP10N70P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP10N70P?
El AP10N70P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.