AP10P10GH
MOSFET
P-Channel
TO251 TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
8.800 A
RDSon
0.2790 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
32.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 TO252 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 65 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 32.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.279 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP10P10GH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP10P10GH?
Los reemplazos compatibles para el AP10P10GH incluyen: AO2301, AP2301N, AP2305GN, AP2309AGN.
¿Que tipo de transistor es el AP10P10GH?
El AP10P10GH es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251 TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP10P10GH?
El AP10P10GH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.800 A.