AP10P10GJ-HF
MOSFET
P-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
4.600 A
RDSon
0.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
32.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 32.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP10P10GJ-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP10P10GJ-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP10P10GJ-HF incluyen: 2SK711, AP10N60W, AP10N70I-A-HF, AP10N70P, AP10N70P-A, AP10N70R-A, AP10N70S, AP10N70W, AP10P10GH-HF, AP11N50I, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP10P10GJ-HF?
El AP10P10GJ-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP10P10GJ-HF?
El AP10P10GJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.600 A.