AP11N50I
MOSFET
N-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
11.000 A
RDSon
0.6200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 53 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.62 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP11N50I:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP11N50I?
Los reemplazos compatibles para el AP11N50I incluyen: 2SK711, AP10N70I-A-HF, AP10N70P, AP10N70P-A, AP10N70R-A, AP10N70S, AP10N70W, AP10P10GH-HF, AP10P10GJ-HF, 2SK3285, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP11N50I?
El AP11N50I es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del AP11N50I?
El AP11N50I tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 11.000 A.