AP1332GEU-HF
MOSFET
N-Channel
SOT323
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.600 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
0.350 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| tr - Rise Time | 53 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 17 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP1332GEU-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP1332GEU-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP1332GEU-HF incluyen: 2SK711, 2SK3289, 2SK3290, 2SK3304, 2SK3307, 2SK3310, 2SK3314, 2SK3378, AP1203AGMT-HF, AP1332GEV-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP1332GEU-HF?
El AP1332GEU-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del AP1332GEU-HF?
El AP1332GEU-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.600 A.