AP1333GU

MOSFET P-Channel SOT323

Parametros Principales

Vds Max. 20.000 V
Id Max. 0.550 A
RDSon 0.6000 Ω
Vgs Max. 12.000 V
Potencia Max. 0.350 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT323
tr - Rise Time 8 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 25 pF
|Id| - Maximum Drain Current 0.55 A
Pd - Maximum Power Dissipation 0.35 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 12 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.6 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP1333GU:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP1333GU?

Los reemplazos compatibles para el AP1333GU incluyen: 2SK711, 2SK3304, 2SK3307, 2SK3310, 2SK3314, 2SK3378, AP1203AGMT-HF, AP1332GEU-HF, AP1332GEV-HF, AP1334GEU-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP1333GU?

El AP1333GU es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT323.

¿Cual es el voltaje maximo del AP1333GU?

El AP1333GU tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.550 A.

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