AP1333GU
MOSFET
P-Channel
SOT323
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.550 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
0.350 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 25 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.55 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP1333GU:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP1333GU?
Los reemplazos compatibles para el AP1333GU incluyen: 2SK711, 2SK3304, 2SK3307, 2SK3310, 2SK3314, 2SK3378, AP1203AGMT-HF, AP1332GEU-HF, AP1332GEV-HF, AP1334GEU-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP1333GU?
El AP1333GU es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del AP1333GU?
El AP1333GU tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.550 A.
