AP13N50R-HF

MOSFET N-Channel TO262

Parametros Principales

Vds Max. 500.000 V
Id Max. 14.000 A
RDSon 0.5200 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 156.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO262
tr - Rise Time 49 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 210 pF
|Id| - Maximum Drain Current 14 A
Pd - Maximum Power Dissipation 156 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.52 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP13N50R-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP13N50R-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP13N50R-HF incluyen: 2SK3314, 2SK3378, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP1203AGMT-HF, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP13N50R-HF?

El AP13N50R-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO262.

¿Cual es el voltaje maximo del AP13N50R-HF?

El AP13N50R-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.

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