AP13N50W
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
14.000 A
RDSon
0.5200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
156.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.52 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP13N50W:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP13N50W?
Los reemplazos compatibles para el AP13N50W incluyen: 2SK3378, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N65, AP1203AGMT-HF, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP13N50W?
El AP13N50W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del AP13N50W?
El AP13N50W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.000 A.