AP16N50P
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
16.000 A
RDSon
0.4000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
173.600 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 630 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 173.6 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP16N50P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP16N50P?
Los reemplazos compatibles para el AP16N50P incluyen: 20N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP09N70R-A, AP09N90CW, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP16N50P?
El AP16N50P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP16N50P?
El AP16N50P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.