AP16N50W

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 500.000 V
Id Max. 16.000 A
RDSon 0.4000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 250.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 50 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 630 pF
|Id| - Maximum Drain Current 16 A
Pd - Maximum Power Dissipation 250 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.4 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP16N50W:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP16N50W?

Los reemplazos compatibles para el AP16N50W incluyen: 2SK711, 2SK3528, 2SK3532, 2SK3560, AP15T20AGH-HF, AP15T20GH-HF, AP15T20GI-HF, AP15T20GS-HF, AP16N50I-HF, AP18N20AGS-HF, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP16N50W?

El AP16N50W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del AP16N50W?

El AP16N50W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 16.000 A.

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