AP18N20GJ-HF
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.1700 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
89.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 21 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 185 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 89 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.17 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18N20GJ-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP18N20GJ-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP18N20GJ-HF incluyen: 2SK711, AP15T20GH-HF, AP15T20GI-HF, AP15T20GS-HF, AP16N50I-HF, AP16N50W, AP18N20AGS-HF, AP18N20GH-HF, AP18N20GI, AP18N20GP-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP18N20GJ-HF?
El AP18N20GJ-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP18N20GJ-HF?
El AP18N20GJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.
