AP18N50W

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 500.000 V
Id Max. 20.000 A
RDSon 0.2700 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 150.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 80 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 350 pF
|Id| - Maximum Drain Current 20 A
Pd - Maximum Power Dissipation 150 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.27 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18N50W:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP18N50W?

Los reemplazos compatibles para el AP18N50W incluyen: 2SK711, AP16N50I-HF, AP16N50W, AP18N20AGS-HF, AP18N20GH-HF, AP18N20GI, AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, AP18N20GS-HF, AP18P10AGH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP18N50W?

El AP18N50W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del AP18N50W?

El AP18N50W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.

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