AP18P10AGH-HF
MOSFET
P-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.1400 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
39.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 39 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.14 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18P10AGH-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP18P10AGH-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP18P10AGH-HF incluyen: 2SK711, AP16N50W, AP18N20AGS-HF, AP18N20GH-HF, AP18N20GI, AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, AP18N20GS-HF, AP18N50W, AP18P10AGJ-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP18P10AGH-HF?
El AP18P10AGH-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del AP18P10AGH-HF?
El AP18P10AGH-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.
