AP18P10AGJ-HF

MOSFET P-Channel TO251

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 12.000 A
RDSon 0.1400 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 39.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
tr - Rise Time 16 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 115 pF
|Id| - Maximum Drain Current 12 A
Pd - Maximum Power Dissipation 39 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.14 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18P10AGJ-HF:

2SK711 MOSFET N-Channel AP18N20AGS-HF MOSFET N-Channel AP18N20GH-HF MOSFET N-Channel AP18N20GI MOSFET N-Channel AP18N20GJ-HF MOSFET N-Channel AP18N20GP-HF MOSFET N-Channel AP18N20GS-HF MOSFET N-Channel AP18N50W MOSFET N-Channel AP18P10AGH-HF MOSFET P-Channel AP18P10GH MOSFET P-Channel AP18P10GJ MOSFET P-Channel AP18P10GI MOSFET P-Channel AP18P10GK-HF MOSFET P-Channel AP18P10GM-HF MOSFET P-Channel AP18P10GS MOSFET P-Channel AP18T10AGH-HF MOSFET N-Channel AP18T10AGJ-HF MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 8N60 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP18P10AGJ-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP18P10AGJ-HF incluyen: 2SK711, AP18N20AGS-HF, AP18N20GH-HF, AP18N20GI, AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, AP18N20GS-HF, AP18N50W, AP18P10AGH-HF, AP18P10GH, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP18P10AGJ-HF?

El AP18P10AGJ-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del AP18P10AGJ-HF?

El AP18P10AGJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.

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