AP18P10GH

MOSFET P-Channel TO252

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 12.000 A
RDSon 0.1800 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 35.700 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO252
tr - Rise Time 14 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 110 pF
|Id| - Maximum Drain Current 12 A
Pd - Maximum Power Dissipation 35.7 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.18 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18P10GH:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP18P10GH?

Los reemplazos compatibles para el AP18P10GH incluyen: 2SK711, AP18N20GH-HF, AP18N20GI, AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, AP18N20GS-HF, AP18N50W, AP18P10AGH-HF, AP18P10AGJ-HF, AP18P10GJ, y 14 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP18P10GH?

El AP18P10GH es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.

¿Cual es el voltaje maximo del AP18P10GH?

El AP18P10GH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.

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