AP18P10GI

MOSFET P-Channel TO220F

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 12.000 A
RDSon 0.1600 Ω
Vgs Max. 32.000 V
Potencia Max. 31.250 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220F
tr - Rise Time 14 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 110 pF
|Id| - Maximum Drain Current 12 A
Pd - Maximum Power Dissipation 31.25 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 32 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.16 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18P10GI:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP18P10GI?

Los reemplazos compatibles para el AP18P10GI incluyen: 2SK711, AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, AP18N20GS-HF, AP18N50W, AP18P10AGH-HF, AP18P10AGJ-HF, AP18P10GH, AP18P10GJ, AP18P10GK-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP18P10GI?

El AP18P10GI es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220F.

¿Cual es el voltaje maximo del AP18P10GI?

El AP18P10GI tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.

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