AP18P10GS

MOSFET P-Channel TO263

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 12.000 A
RDSon 0.1600 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 35.700 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO263
tr - Rise Time 14 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 110 pF
|Id| - Maximum Drain Current 12 A
Pd - Maximum Power Dissipation 35.7 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.16 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18P10GS:

2SK711 MOSFET N-Channel AP18N50W MOSFET N-Channel AP18P10AGH-HF MOSFET P-Channel AP18P10AGJ-HF MOSFET P-Channel AP18P10GH MOSFET P-Channel AP18P10GJ MOSFET P-Channel AP18P10GI MOSFET P-Channel AP18P10GK-HF MOSFET P-Channel AP18P10GM-HF MOSFET P-Channel AP18T10AGH-HF MOSFET N-Channel AP18T10AGJ-HF MOSFET N-Channel AP18T10AGK-HF MOSFET N-Channel AP18T10GH-HF MOSFET N-Channel AP18T10GI MOSFET N-Channel AP18T10GJ-HF MOSFET N-Channel AP18T10GM-HF MOSFET N-Channel AP18T10GP MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP18P10GS?

Los reemplazos compatibles para el AP18P10GS incluyen: 2SK711, AP18N50W, AP18P10AGH-HF, AP18P10AGJ-HF, AP18P10GH, AP18P10GJ, AP18P10GI, AP18P10GK-HF, AP18P10GM-HF, AP18T10AGH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP18P10GS?

El AP18P10GS es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263.

¿Cual es el voltaje maximo del AP18P10GS?

El AP18P10GS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.

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