AP18T10AGK-HF

MOSFET N-Channel SOT223

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 2.800 A
RDSon 0.1600 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.800 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT223
tr - Rise Time 6 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 55 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2.8 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.16 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18T10AGK-HF:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP18T10AGK-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP18T10AGK-HF incluyen: 2SK711, AP18P10GH, AP18P10GJ, AP18P10GI, AP18P10GK-HF, AP18P10GM-HF, AP18P10GS, AP18T10AGH-HF, AP18T10AGJ-HF, AP18T10GH-HF, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP18T10AGK-HF?

El AP18T10AGK-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT223.

¿Cual es el voltaje maximo del AP18T10AGK-HF?

El AP18T10AGK-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.800 A.

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