AP18T10GM-HF

MOSFET N-Channel SO8

Parametros Principales

Vds Max. 100.000 V
Id Max. 3.000 A
RDSon 0.1600 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 2.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SO8
tr - Rise Time 6 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 75 pF
|Id| - Maximum Drain Current 3 A
Pd - Maximum Power Dissipation 2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.16 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18T10GM-HF:

2SK711 MOSFET N-Channel AP18P10GM-HF MOSFET P-Channel AP18P10GS MOSFET P-Channel AP18T10AGH-HF MOSFET N-Channel AP18T10AGJ-HF MOSFET N-Channel AP18T10AGK-HF MOSFET N-Channel AP18T10GH-HF MOSFET N-Channel AP18T10GI MOSFET N-Channel AP18T10GJ-HF MOSFET N-Channel AP18T10GP MOSFET N-Channel AP18T20GH-HF MOSFET N-Channel AP18T20GI-HF MOSFET N-Channel AP1R803GMT-HF MOSFET N-Channel AP1RA03GMT-HF MOSFET N-Channel AP1RC03GMT-HF MOSFET N-Channel 2SK357 MOSFET N-Channel 2SK359 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP18T10GM-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP18T10GM-HF incluyen: 2SK711, AP18P10GM-HF, AP18P10GS, AP18T10AGH-HF, AP18T10AGJ-HF, AP18T10AGK-HF, AP18T10GH-HF, AP18T10GI, AP18T10GJ-HF, AP18T10GP, y 13 mas.

¿Que tipo de transistor es el AP18T10GM-HF?

El AP18T10GM-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO8.

¿Cual es el voltaje maximo del AP18T10GM-HF?

El AP18T10GM-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.

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