AP18T10GP
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.1600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
28.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 55 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP18T10GP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP18T10GP?
Los reemplazos compatibles para el AP18T10GP incluyen: 2SK711, AP18P10GS, AP18T10AGH-HF, AP18T10AGJ-HF, AP18T10AGK-HF, AP18T10GH-HF, AP18T10GI, AP18T10GJ-HF, AP18T10GM-HF, AP18T20GH-HF, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP18T10GP?
El AP18T10GP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del AP18T10GP?
El AP18T10GP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.