AP20T03GJ-HF
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
12.500 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
12.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 70 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 12.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP20T03GJ-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP20T03GJ-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP20T03GJ-HF incluyen: 2SK3568, 2SK711, 2SK3775-01, 2SK3777-01R, 2SK3778, AP20N15AGH-HF, AP20N15AGP-HF, AP20N15GH-HF, AP20N15GI-HF, AP20T03GH-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP20T03GJ-HF?
El AP20T03GJ-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del AP20T03GJ-HF?
El AP20T03GJ-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.500 A.
