AP2301AGN-HF
MOSFET
P-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
3.300 A
RDSon
0.0970 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
1.380 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 135 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.38 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.097 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2301AGN-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2301AGN-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2301AGN-HF incluyen: AP2301BGN-HF, AP2301GN-HF, AP2301N-HF, AP2303GN-HF.
¿Que tipo de transistor es el AP2301AGN-HF?
El AP2301AGN-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2301AGN-HF?
El AP2301AGN-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.300 A.