AP2301N-HF

MOSFET P-Channel SOT23

Parametros Principales

Vds Max. 20.000 V
Id Max. 2.300 A
RDSon 0.1300 Ω
Vgs Max. 12.000 V
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
tr - Rise Time 16 nS
Type of Control Channel P-Channel
Coss - Output Capacitance 70 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation 1 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 12 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.13 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2301N-HF:

AP2301AGN-HF MOSFET P-Channel AP2301BGN-HF MOSFET P-Channel AP2301GN-HF MOSFET P-Channel AP2303GN-HF MOSFET P-Channel AP2305AGN-HF MOSFET P-Channel AP2305BGN-HF MOSFET P-Channel AP2305CGN-HF MOSFET P-Channel

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el AP2301N-HF?

Los reemplazos compatibles para el AP2301N-HF incluyen: AP2301AGN-HF, AP2301BGN-HF, AP2301GN-HF, AP2303GN-HF, AP2305AGN-HF, AP2305BGN-HF, AP2305CGN-HF.

¿Que tipo de transistor es el AP2301N-HF?

El AP2301N-HF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del AP2301N-HF?

El AP2301N-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.300 A.

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