AP2306AGN
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
5.300 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 45 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2306AGN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2306AGN?
Los reemplazos compatibles para el AP2306AGN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AO4816, AOD438, AOD522, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2306AGN?
El AP2306AGN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2306AGN?
El AP2306AGN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.300 A.