AP2306CGTN-HF
MOSFET
N-Channel
TSOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
5.500 A
RDSon
0.0300 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.380 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TSOT23 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.38 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.03 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del AP2306CGTN-HF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el AP2306CGTN-HF?
Los reemplazos compatibles para el AP2306CGTN-HF incluyen: 10N65, 2SK711, AP2305AGN-HF, AP2305BGN-HF, AP2305CGN-HF, AP2305GN-HF, AP2305N-HF, AP2306AGEN-HF, AP2306AGN-HF, AP2306CGN-HF, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el AP2306CGTN-HF?
El AP2306CGTN-HF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del AP2306CGTN-HF?
El AP2306CGTN-HF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.500 A.